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高溫純化爐

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詳細介紹

  該裝備是將石墨制品、碳氈或SiC粉體等通過高溫焙燒和工藝氣體定向流動,經過物理擴散、化學反應使雜質元素從基體中排出,形成灰分含量低(5ppmw)、金屬含量降到PPB數量級,從而達到半導體晶體生長對石墨品質(或粉體原料)要求的工藝過程。 
技術參數
       最高溫度: 2500℃     常用工作溫度:2200℃
       溫度均勻度:≤±5℃   儀表控溫精度:±1℃
       抽真空時間:≤120min

 

有效工作空間( mm) 最高溫度(℃)
840-840-660 2200
Φ1380-900 2500
Φ1300-820 2500
Φ1300-1050 2500
Φ1400mm-1050 2500
Φ1400mm-2000 2500
未找到相應參數組,請于后臺屬性模板中添加
暫未實現,敬請期待
暫未實現,敬請期待
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